Вперше в історії науковці виростили діаманти для ШІ-чипів у лабораторних умовах

Дослідники з Ульсанського національного інституту науки та технологій (UNIST) у Південній Кореї розробили новий метод вирощування алмазів у лабораторії без необхідності високого тиску. Відкриття, яке було описане на порталі Interesting Engineering, може сприяти виробництву алмазних кристалів, які знайдуть застосування у виготовленні сучасної електроніки та оптичних пристроїв.

Новий підхід дозволяє вирощувати алмази при нормальному атмосферному тиску, що є значним прогресом у порівнянні з традиційними методами, які потребували високого тиску. Дослідження 2017 року вже показало, що атоми вуглецю можуть розчинятися у рідкому галії та перетворюватися у твердий листовий графен за умови впливу газоподібного метану. Новий процес використовує схожий підхід для створення алмазів.

Експерименти з вирощування алмазів почалися з додавання капель розплавленого галію та інших металів до суміші, яка піддавалася впливу газів, що містять вуглець. Випадкове пролиття галію на шар чистого кремнію призвело до відкриття кристалів алмазу у затверділому металі.

Надалі вчені вдосконалили метод, створивши «рецепт» для виробництва алмазів, де суміш рідких галію, кремнію, заліза та нікелю, нагріті до 1025 градусів Цельсія, формує структуру, типову для алмазів.

Науковці впевнені: новий спосіб виробництва алмазів може стати основою для нових типів чипів та датчиків, а також знайти застосування у виробництві квантових комп’ютерів, магнітних датчиків, потужних електричних пристроїв, детекторів радіації та лазерів.